俄罗斯公布 EUV 光刻路线图
俄罗斯科学院微结构物理研究所公布了国产极紫外（EUV）光刻机路线图，计划在 2026–2036 年间分阶段研发三代设备，目标制程从 40nm 推进至亚 10nm。
该方案采用不同于 ASML 的技术架构，使用氙等离子体光源和钌/铍反射镜，避免锡滴光源带来的碎屑问题。研发团队称，这将降低复杂度和维护成本，并覆盖 65 至 9nm 工艺节点，设备价格也将低于 ASML 的产品。
但业内指出，11.2nm 波长并非行业标准，涉及镜片、光源、光刻胶等大量技术难题，实际可行性仍不确定。分析人士认为，即便研发成功，其更多可能用于科研或实验，而非立即商业化。
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